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浸没式光刻机进场晶瑞股份ArF光刻胶研发提速

2021-03-27 08:00:56

浸没式光刻机进场晶瑞股份ArF光刻胶研发提速

　　1月19日上午，在苏州纳米科技园，晶瑞股份举行了光刻机搬入仪式。公司本次购置的是先进的阿斯麦(ASML)XT 1900Gi 浸没式光刻机。在业内人士看来，这标志着晶瑞股份在高端光刻胶研发上揭开新篇章，公司将加快实现光刻胶产品应用于12英寸芯片生产线的战略布局。

　　“浸没式光刻机是高端光刻胶研发的关键设备，尽管投入巨大，晶瑞股份还是下定决心购买。”对于购置该光刻机，晶瑞股份董事长吴天舒在现场讲话中介绍，为解决集成电路制造领域关键材料“卡脖子”问题，加速高端ArF光刻胶研发，建立研发平台，公司后续还将购置其他相关辅助设备，并尽早完成设备的安装调试，投入使用。

　　记者了解到，在多方努力下，晶瑞股份克服重重干扰和困难，仅仅用了不到4个月，就完成了该光刻机的交易，并顺利将其搬入高端光刻胶实验室。

　　回溯公告，晶瑞股份于2020年9月29日披露，为开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目，公司拟斥资1102.5万美元购买一台ASML光刻机。

　　晶瑞股份是国内最早进行光刻胶研发和产业化的公司之一，拥有28年的产业积累。资料显示，早在1993年，晶瑞股份全资子公司苏州瑞红就开启了光刻胶研发，并承担完成了国家重大科技项目02专项“i 线光刻胶产品开发及产业化项目”。目前，晶瑞股份的i 线光刻胶已向多家半导体头部公司供货；公司完成中试的KrF光刻胶已进入客户测试阶段。

　　据了解，随着芯片跨入纳米级，半导体光刻胶的波长在不断缩短，已经由紫外宽谱逐步发展到g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、ArF Immersion 浸润式，以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平。光刻胶波长越短，研发难度越大，适应制程越先进。从全球来看，目前KrF和ArF的市场份额最大。

　　“在中国集成电路产业不断发展壮大、制程不断提升的情况下，晶瑞股份布局ArF光刻胶，既是担当也是挑战。”对于挑战更先进的ArF光刻胶，晶瑞股份表示，尽管中国集成电路产业整体实力显著提升，但受制于我国光刻胶技术发展水平，目前适用于6英寸硅片的g 线、i 线光刻胶的自给率约为10%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12英寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口，光刻胶国产化依然任重道远。

　　“预计上半年完成安装工程，我们期望3年内完成ArF光刻胶产品新工艺相关技术参数及产品定型，并实现规模化生产。”展望未来，吴天舒告诉记者，实现ArF光刻胶产业化，中国的光刻胶就基本上可以满足45nm至28nm制程技术和工艺的要求。

本文来源：每日商业报道文章作者：李兴彩

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